深圳市華科智源科技有限公司,是一家專業從事功率半導體測試系統自主研發制造與綜合測試分析服務的高新技術企業,坐落于改革開放之都-中國深圳,核心業務為半導體功率器件智能檢測準備研制生產,公司產品主要涉及MOS管直流參數測試儀,MOS管動態參數測試儀,IGBT測試儀,IGBT動態參數測試系統,IGBT靜態參數測試儀,功率循環,雪崩及浪涌測試設備,產品以高度集成化、智能化、高速、超寬測試范圍等競爭優勢,將廣泛應用于IDM廠商、器件設計、制造、封裝廠商及高校研究所等,客戶行業涉及軌道交通,地鐵,電驅動,新能源汽車,風力發電,變頻器,家電等領域;華夏神州,科技興國,智能創新,源遠流長;華科智源公司核心團隊由華中科技大學,復旦大學等國內高校研究所、行業應用專家等技術人才組建,致力于中國功率半導體事業,積極響應國家提出的中國制造2025戰略,投身于半導體測試設備國產化。
華科智源HUSTEC-1600A-MT靜態參數測試儀可用于多種封裝形式的IGBT測試,還可以測量大功率二極管、IGBT模塊,大功率IGBT、大功率雙極型晶體管,MOS管等器件的V-I特性測試,測試12...
產品介紹 產品為桌面放置的臺式機結構,由測試主機和程控電腦兩大部分組成。外掛各類夾具和適配器,...
華科智源-二極管浪涌電流是指電源線接通瞬間或是在電路出現異常情況下產生的遠大于穩態電流的峰值電流或過載電流。半導體器件在工作時,有時要承受較大的沖擊電流,器件的用途不同,要求器件能承受浪涌電流的能力也...
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華科智源-二極管浪涌電流是指電源線接通瞬間或是在電路出現異常情況下產生的遠大于穩態電流的峰值電流或過載電流。半導體器件在工作時,有時要承受較大的沖擊電流,器件的用途不同,要求器件能承受浪涌電流的能力也...
可測參數: Ciss/Coss/Crss/RgMOS管結電容測試可測器件: IGBT,二極管,氮化鎵、碳化硅 MOSFET 等 測試頻率:1MHz&n...
可測參數: Ciss/Coss/Crss/RgMOS管結電容測試可測器件: IGBT,二極管,氮化鎵、碳化硅 MOSFET 等 測試頻率:1MHz&n...
可測參數: Ciss/Coss/Crss/RgMOS管結電容測試可測器件: IGBT,二極管,氮化鎵、碳化硅 MOSFET 等 測試頻率:1MHz&n...
華科智源HUSTEC-1600A-MT靜態參數測試儀可用于多種封裝形式的IGBT測試,還可以測量大功率二極管、IGBT模塊,大功率IGBT、大功率雙極型晶體管,MOS管等器件的V-I特性測試,測試...
華科智源HUSTEC-1600A-MT靜態參數測試儀可用于多種封裝形式的IGBT測試,還可以測量大功率二極管、IGBT模塊,大功率IGBT、大功率雙極型晶體管,MOS管等器件的V-I特性測試,測試12...
華科智源HUSTEC-1600A-MT靜態參數測試儀可用于多種封裝形式的IGBT測試,還可以測量大功率二極管、IGBT模塊,大功率IGBT、大功率雙極型晶體管,MOS管等器件的V-I特性測試,測試12...
華科智源HUSTEC-1600A-MT靜態參數測試儀可用于多種封裝形式的IGBT測試,還可以測量大功率二極管、IGBT模塊,大功率IGBT、大功率雙極型晶體管,MOS管等器件的V-I特性測試,測試12...
華科智源HUSTEC-1600A-MT靜態參數測試儀可用于多種封裝形式的IGBT測試,還可以測量大功率二極管、IGBT模塊,大功率IGBT、大功率雙極型晶體管,MOS管等器件的V-I特性測試,測試12...
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