隨著第三代半導體材料碳化硅（SiC）的快速發(fā)展，多孔石墨（PG/EM3）作為關(guān)鍵材料，廣泛應(yīng)用于SiC晶體生長工藝中。多孔石墨具有獨特的孔隙結(jié)構(gòu)、高純度、耐高溫和良好的熱穩(wěn)定性，能夠顯著改善SiC晶體的生長環(huán)境，提升晶體質(zhì)量。
產(chǎn)品特性
高純度：純度高，雜質(zhì)含量低，滿足SiC晶體生長對材料的高純度要求。
多孔結(jié)構(gòu)：具有大孔、介孔和微孔相結(jié)合的多級孔隙結(jié)構(gòu)，能夠有效調(diào)節(jié)氣相組分，促進物質(zhì)輸運，減少晶體缺陷。
耐高溫：可在2000℃以上的高溫環(huán)境下穩(wěn)定使用，適用于SiC晶體生長的極端條件。
熱穩(wěn)定性：能夠平衡生長環(huán)境的溫度分布，減少熱應(yīng)力對晶體生長的影響。
定制化：可根據(jù)客戶的具體需求，定制不同尺寸和孔隙結(jié)構(gòu)的產(chǎn)品。
應(yīng)用領(lǐng)域
SiC晶體生長：作為長晶爐中的關(guān)鍵材料，多孔石墨板能夠改善晶體生長環(huán)境，減少微管和其他缺陷，提升晶體質(zhì)量。
高溫隔熱材料：用于SiC生長爐的隔熱層，提高熱效率，降低能耗。
半導體制造：適用于離子注入、CVD等高溫工藝中的隔熱和支撐部件。
技術(shù)優(yōu)勢
優(yōu)化晶體生長：多孔石墨能夠有效調(diào)節(jié)生長環(huán)境中的C/Si比，減少相變的發(fā)生，提升晶體生長的穩(wěn)定性。
降低研發(fā)成本：通過優(yōu)化生長環(huán)境，減少晶體缺陷，降低SiC晶體生長的研發(fā)成本。
提高原料利用率：多孔石墨能夠促進原料的充分升華和利用，提高原料的有效利用率。
公司優(yōu)勢
專業(yè)經(jīng)驗：多年專注于第三代半導體材料的研發(fā)和生產(chǎn)，積累了豐富的行業(yè)經(jīng)驗。
技術(shù)支持：提供專業(yè)的技術(shù)咨詢和定制化解決方案，滿足客戶的個性化需求。
質(zhì)量保證：嚴格的質(zhì)量檢測流程，確保產(chǎn)品符合國際標準
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