物理性質(zhì)：具有銀灰色金屬光澤，條狀，梯形截面，性脆，易斷裂，硬度 5.0 左右，微導(dǎo)電，屬于典型的半導(dǎo)體。其密度為 5.35g/mL，熔點為 937℃，沸點為 2830℃，不溶于鹽酸、硝酸和常堿，但溶于 HF、王水和熱的 NaOH 溶液中。
資源分布與產(chǎn)量：鍺在地殼中含量極其稀少，且多伴生于鉛鋅礦、煤礦等礦石中。中國是世界上的精制鍺生產(chǎn)國，在全世界每年生產(chǎn)的 150 公噸金屬中約占 70%，其他主要生產(chǎn)國包括俄羅斯和加拿大。
移動速度過快的影響
雜質(zhì)偏析不徹底，純度不達標：快速移動時，熔區(qū)向前推進速度超過雜質(zhì)在液相中的擴散速度，雜質(zhì)無法及時隨熔區(qū)向尾料遷移，會被 “截留” 在結(jié)晶的固相鍺中，導(dǎo)致鍺錠主體純度下降，無法達到 6N 及以上的目標純度要求。
晶體生長不穩(wěn)定，易形成柱狀晶或枝晶：過快的移動速度會使固 - 液界面變得陡峭，晶體生長方向紊亂，容易形成柱狀晶或枝晶結(jié)構(gòu)，破壞晶體的完整性，后續(xù)加工時鍺錠易脆斷。
熔區(qū)形態(tài)不穩(wěn)定：速度過快可能導(dǎo)致熔區(qū)拉長、變形，甚至出現(xiàn) “斷熔” 現(xiàn)象，造成局部未熔或過熔，影響整根鍺錠的提純均勻性。
鍺錠的關(guān)鍵質(zhì)量指標?
純度等級：核心指標，以 “N” 表示（1N=99%），區(qū)熔鍺錠主流為 6N~8N，高端半導(dǎo)體應(yīng)用需 9N 級超高純鍺錠，雜質(zhì)總量≤0.1ppm。?
晶體結(jié)構(gòu)：區(qū)熔鍺錠需為定向結(jié)晶的多晶或準單晶，晶粒尺寸均勻（通常≥5mm），無明顯裂紋、縮孔、夾雜等缺陷。?
電學(xué)性能：電阻率（25℃時）需符合標準，6N 鍺錠電阻率通常為 47~53Ω?cm，純度越高電阻率越穩(wěn)定。?
化學(xué)雜質(zhì)：重點控制 O、C、Fe、Cu、Ni、Si 等雜質(zhì)，其中 O 含量需≤5ppm（避免影響晶體導(dǎo)電性），重金屬雜質(zhì)≤0.1ppm。?
外觀與尺寸：銀灰色金屬光澤，表面無氧化斑、油污，截面呈梯形或矩形，長度通常為 300~600mm，直徑 / 寬度根據(jù)應(yīng)用定制。
