純度等級：核心指標(biāo)，以 “N” 表示（1N=99%），區(qū)熔鍺錠主流為 6N~8N，高端半導(dǎo)體應(yīng)用需 9N 級超高純鍺錠，雜質(zhì)總量≤0.1ppm。
電學(xué)性能：電阻率（25℃時(shí)）需符合標(biāo)準(zhǔn)，6N 鍺錠電阻率通常為 47~53Ω?cm，純度越高電阻率越穩(wěn)定。
原料供給依賴主礦副產(chǎn)品：區(qū)熔鍺錠原料（粗鍺、還原鍺粉）主要來自鉛鋅冶煉副產(chǎn)品及鍺礦回收，主礦開采規(guī)模、冶煉回收率直接影響原料供應(yīng)量，進(jìn)而傳導(dǎo)至區(qū)熔鍺錠價(jià)格。?
回收體系不完善：目前鍺資源回收主要集中于廢舊光纖、半導(dǎo)體器件，回收技術(shù)門檻高、回收率有限（約 30%），尚未形成規(guī)模化補(bǔ)充，難以緩解原生資源短缺壓力。?
