電學性能：電阻率（25℃時）需符合標準，6N 鍺錠電阻率通常為 47~53Ω?cm，純度越高電阻率越穩定。
化學雜質：重點控制 O、C、Fe、Cu、Ni、Si 等雜質，其中 O 含量需≤5ppm（避免影響晶體導電性），重金屬雜質≤0.1ppm。
資源與產能：鍺為稀缺分散元素，全球探明儲量約 8600 噸，中國儲量占比 41%，是全球的鍺生產國（2023 年產能約 105 噸，占全球 70%），主要產區集中在云南、貴州、四川等地。
技術趨勢：未來將聚焦于 “提升純度 + 降低成本”，如開發多場耦合區熔技術（電磁 + 溫度梯度）、優化熔區參數控制算法，實現 9N 級鍺錠的規模化生產；同時，鍺資源的回收利用（如從廢舊光纖、半導體器件中回收鍺）將成為重要發展方向，緩解資源短缺壓力。
