半導體與電子領域：6N 以上區熔鍺錠是制備鍺單晶的核心原料，進一步加工為鍺晶圓，用于制造高速晶體管、光電探測器、紅外傳感器等，廣泛應用于航天、軍工、5G 通信等高端場景。
資源與產能：鍺為稀缺分散元素，全球探明儲量約 8600 噸，中國儲量占比 41%，是全球的鍺生產國（2023 年產能約 105 噸，占全球 70%），主要產區集中在云南、貴州、四川等地。
技術趨勢：未來將聚焦于 “提升純度 + 降低成本”，如開發多場耦合區熔技術（電磁 + 溫度梯度）、優化熔區參數控制算法，實現 9N 級鍺錠的規模化生產；同時，鍺資源的回收利用（如從廢舊光纖、半導體器件中回收鍺）將成為重要發展方向，緩解資源短缺壓力。
電子廠：電子廠回收：半導體藍膜，半導體鍍金硅片、鍍銀瓷片、壓敏電阻、薄膜開關，廢冷光片，背光源，廢銀漿、鈀漿、擦銀布、擦金布，銀漿罐、金漿罐、含鈀陶瓷片，含金陶瓷片，含銀的陶瓷片、銀焊條、銀焊絲、銀粉、導電銀膠，鍍金，鍍銀，鍍銠鍍鉑等廢料。
