原料預處理
原料選擇：選用純度約 5N（99.999%）的粗鍺錠或還原鍺粉，通常來自 GeCl?水解、GeO?氫還原等工藝產出的初級金屬鍺。
表面凈化：用混合酸（如 HF+HNO?）腐蝕去除表面氧化層與油污，再經去離子水清洗、真空烘干，防止雜質帶入后續工序。
破碎與成型：將凈化后的鍺料破碎成均勻顆粒，壓制成與石英舟適配的條狀或塊狀，減少區熔時的縮孔與偏析。
區熔提純（核心步驟）
熔區建立：采用高頻感應加熱或紅外聚焦加熱，在鍺料中部形成寬度 1~3cm 的窄熔區，溫度控制在鍺熔點（937℃）以上 50~100℃，確保局部熔化、整體固態。
熔區移動與多道次提純
以 15~120mm/h 的速率移動熔區，雜質隨熔區向尾料端偏析，純鍺在熔區前方結晶。
單次區熔提純有限，需重復 8~20 道次，根據目標純度調整次數，每道次后熔區反向移動可提升均勻性。
參數控制：控制加熱功率、熔區移動速率與溫度梯度，避免局部過熱導致鍺揮發或石英舟變形，同時減少熱應力與晶體缺陷。
后處理
冷卻與脫模：區熔結束后，以 2~5℃/min 速率分段降溫，500℃以下慢速冷卻，防止內應力開裂，冷卻后取出鍺錠。
切頭切尾：切除含高濃度雜質的尾料與籽晶部分，保留中間高純段。
檢測分級：通過電阻率測試、ICP-MS 分析雜質含量，按純度分級（如 6N、7N、8N），合格產品包裝入庫，不合格品返回原料重熔。
退火處理（可選）：對高純鍺錠進行 400~500℃真空退火，消除內應力，提升晶體完整性，滿足半導體單晶制備需求。
錦鑫業務回收范圍：
冶煉廠：黃金，白銀，鉑金，鈀金，銠金，銀鋅電瓶，以及粗鉛,貴鉛,陽極泥等廢料;
礦山廠：銅粉，鉛粉，活性炭，載金炭，炭泥，銀粉，銀泥，金泥，一切煉金，煉銀，煉鉑，鈀銠的廢渣廢料等。
電鍍廠：金鹽、銀鹽、金銀廢水等廢料；
電子廠：電子廠回收：半導體藍膜，半導體鍍金硅片、鍍銀瓷片、壓敏電阻、薄膜開關，廢冷光片，背光源，廢銀漿、鈀漿、擦銀布、擦金布，銀漿罐、金漿罐、含鈀陶瓷片，含金陶瓷片，含銀的陶瓷片、銀焊條、銀焊絲、銀粉、導電銀膠，鍍金，鍍銀，鍍銠鍍鉑等廢料。
