純度等級：核心指標，以 “N” 表示（1N=99%），區熔鍺錠主流為 6N~8N，高端半導體應用需 9N 級超高純鍺錠，雜質總量≤0.1ppm。
化學雜質：重點控制 O、C、Fe、Cu、Ni、Si 等雜質，其中 O 含量需≤5ppm（避免影響晶體導電性），重金屬雜質≤0.1ppm。
半導體與電子領域：6N 以上區熔鍺錠是制備鍺單晶的核心原料，進一步加工為鍺晶圓，用于制造高速晶體管、光電探測器、紅外傳感器等，廣泛應用于航天、軍工、5G 通信等高端場景。
電子廠：電子廠回收：半導體藍膜，半導體鍍金硅片、鍍銀瓷片、壓敏電阻、薄膜開關，廢冷光片，背光源，廢銀漿、鈀漿、擦銀布、擦金布，銀漿罐、金漿罐、含鈀陶瓷片，含金陶瓷片，含銀的陶瓷片、銀焊條、銀焊絲、銀粉、導電銀膠，鍍金，鍍銀，鍍銠鍍鉑等廢料。
