市場價格：鍺錠的市場價格長期維持在較高水平，不同純度等級的鍺錠價格差異顯著，高純鍺錠的回收價格處于每公斤上萬元區間。
原料預處理
原料選擇：選用純度約 5N（99.999%）的粗鍺錠或還原鍺粉，通常來自 GeCl?水解、GeO?氫還原等工藝產出的初級金屬鍺。
表面凈化：用混合酸（如 HF+HNO?）腐蝕去除表面氧化層與油污，再經去離子水清洗、真空烘干，防止雜質帶入后續工序。
破碎與成型：將凈化后的鍺料破碎成均勻顆粒，壓制成與石英舟適配的條狀或塊狀，減少區熔時的縮孔與偏析。
區熔提純（核心步驟）
熔區建立：采用高頻感應加熱或紅外聚焦加熱，在鍺料中部形成寬度 1~3cm 的窄熔區，溫度控制在鍺熔點（937℃）以上 50~100℃，確保局部熔化、整體固態。
熔區移動與多道次提純
以 15~120mm/h 的速率移動熔區，雜質隨熔區向尾料端偏析，純鍺在熔區前方結晶。
單次區熔提純有限，需重復 8~20 道次，根據目標純度調整次數，每道次后熔區反向移動可提升均勻性。
參數控制：控制加熱功率、熔區移動速率與溫度梯度，避免局部過熱導致鍺揮發或石英舟變形，同時減少熱應力與晶體缺陷。
鍺錠的關鍵質量指標?
純度等級：核心指標，以 “N” 表示（1N=99%），區熔鍺錠主流為 6N~8N，高端半導體應用需 9N 級超高純鍺錠，雜質總量≤0.1ppm。?
晶體結構：區熔鍺錠需為定向結晶的多晶或準單晶，晶粒尺寸均勻（通常≥5mm），無明顯裂紋、縮孔、夾雜等缺陷。?
電學性能：電阻率（25℃時）需符合標準，6N 鍺錠電阻率通常為 47~53Ω?cm，純度越高電阻率越穩定。?
化學雜質：重點控制 O、C、Fe、Cu、Ni、Si 等雜質，其中 O 含量需≤5ppm（避免影響晶體導電性），重金屬雜質≤0.1ppm。?
外觀與尺寸：銀灰色金屬光澤，表面無氧化斑、油污，截面呈梯形或矩形，長度通常為 300~600mm，直徑 / 寬度根據應用定制。
