晶體結構：區熔鍺錠需為定向結晶的多晶或準單晶，晶粒尺寸均勻（通常≥5mm），無明顯裂紋、縮孔、夾雜等缺陷。
市場需求：隨著紅外探測、5G 通信、半導體芯片等行業的發展，高純度區熔鍺錠需求持續增長，尤其是 8N 級以上超高純鍺錠，市場缺口逐漸擴大。
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