純度等級：核心指標，以 “N” 表示（1N=99%），區熔鍺錠主流為 6N~8N，高端半導體應用需 9N 級超高純鍺錠，雜質總量≤0.1ppm。
晶體結構：區熔鍺錠需為定向結晶的多晶或準單晶，晶粒尺寸均勻（通常≥5mm），無明顯裂紋、縮孔、夾雜等缺陷。
電學性能：電阻率（25℃時）需符合標準，6N 鍺錠電阻率通常為 47~53Ω?cm，純度越高電阻率越穩定。
全球資源分布集中：鍺在地殼中含量僅 0.0007%，難以獨立成礦，主要伴生于鉛鋅礦、煤礦等，全球已探明儲量僅 8600 噸，中國（41%）、美國（45%）為主要儲量國。資源的稀散屬性導致原料供給天然受限，直接推高上游開采與初級提純成本。?
