微觀結構：銦靶晶粒尺寸一般需維持在 10-50 微米區(qū)間，密度高于 7.31g/cm3，熱導率保持在 81.8W/(m?K) 以上，這些技術參數直接決定了其在真空濺射過程中的沉積效率和薄膜質量。
粉末冶金法：將銦氧化物和錫氧化物粉末均勻混合，隨后進行預燒結，以獲得初步的靶材結構。預燒結步驟通常在相對低溫下進行，目的是通過部分熔融促進粉末顆粒的結合，同時防止過早的晶粒長大。粉體粒徑分布的控制是該方法中的關鍵一環(huán)。
顯示技術領域：廣泛應用于 LCD、OLED、AMOLED 等平板顯示器件中作為透明電極，確保顯示設備既能透光顯示圖像，又能導電傳輸信號。
半導體與電子工業(yè)（占比約 25%）：
焊料與封裝：利用銦的低熔點和延展性，作為半導體芯片的焊接材料（如倒裝焊、熱沉連接），可適應精密器件的高溫穩(wěn)定性需求。
化合物半導體：與鎵、砷等元素合成 InGaAs、InP 等化合物，用于 5G 芯片、激光器、探測器（如紅外成像器件）。
