主要成分：通常由 90% 的氧化銦（In?O?）和 10% 的氧化錫（SnO?）組成，這一比例在實際應用中能實現透明性和導電性的理想平衡。
外觀特性：在靶材形態下，顏色通常為淺黃色至淺綠色，而制成薄膜后則具有透明性。
良好的機械和熱學特性：硬度較高，在研磨、拋光過程中不易被劃傷，保證了薄膜表面的平整性；同時能夠承受較高的溫度而不發生分解或結構破壞，在高溫環境中的抗裂性和耐用性良好，確保了薄膜在濺射和高溫條件下的穩定性。
熱等靜壓（HIP）工藝：在高溫和高壓環境下進行燒結，能夠顯著提高材料的致密度，減少材料中的孔隙，改善材料的微觀結構，使得 ITO 靶材具有更高的電導率和機械強度，但該工藝成本較為昂貴。
純度分級：
4N 精銦：純度≥99.99%，主要用于普通電子元器件及靶材原料。
5N-6N 精銦：純度≥99.999%-99.9999%，用于高端半導體、光電材料等領域。
