微觀結構：銦靶晶粒尺寸一般需維持在 10-50 微米區間，密度高于 7.31g/cm3，熱導率保持在 81.8W/(m?K) 以上，這些技術參數直接決定了其在真空濺射過程中的沉積效率和薄膜質量。
半導體領域：占比 28%，用于晶圓制造的金屬互聯層與鈍化層沉積，在第三代半導體器件制造中的滲透率持續攀升，如氮化鎵功率器件就需要使用銦靶。
熱等靜壓（HIP）工藝：在高溫和高壓環境下進行燒結，能夠顯著提高材料的致密度，減少材料中的孔隙，改善材料的微觀結構，使得 ITO 靶材具有更高的電導率和機械強度，但該工藝成本較為昂貴。
顯示技術領域：廣泛應用于 LCD、OLED、AMOLED 等平板顯示器件中作為透明電極，確保顯示設備既能透光顯示圖像，又能導電傳輸信號。
