化學性質
與單質反應：銦在空氣中穩定，加熱到熔點以上會氧化成 In?O?；能與硫在高溫加熱的條件下反應，生成 InS 或 In?S?；室溫下能與氟、氯、溴反應生成 InF?、InCl?、InBr?，加熱條件下與碘蒸氣發生反應；能與氮氣在高溫下反應；也能與釷、鈮、鉑等金屬發生反應。
與無機化合物反應：銦能與鹽酸、稀高氯酸、稀硝酸等反應生成對應的鹽和氫氣，與濃硝酸在加熱的條件下反應生成硝酸銦、二氧化氮和水；能與過量的氫氧化鈉、氫氧化鉀反應；還能與氯化銦、溴化汞、硫化銦、三氧化銦等鹵化物發生反應。
與有機化合物反應：銦能與烷基氯、烷基溴、烷基碘以及十羰基合二錳等有機化合物反應。
半導體材料
化合物半導體：
磷化銦（InP）：用于制造 5G 基站的射頻器件、激光雷達（LiDAR）的發射器、光纖通信中的激光器和探測器，是光電子和高頻電子領域的核心材料。
砷化銦（InAs）、銻化銦（InSb）：用于紅外探測器、量子計算元件和高速集成電路。
集成電路封裝：
銦焊料（如銦 - 錫合金）因低熔點（約 156℃）、高可靠性和抗腐蝕性，用于芯片與基板的連接（如倒裝芯片技術），尤其在航空航天和軍工領域不可替代。
小金屬：粗銦，精銦，ito銦靶材，粗稼，金屬鎵99.99以及廢料。高價回收鎳片，銑刀， 數控刀片， 輕質數控刀，廢合金針，針尖，銦.銦絲.氧化銦.
高價回收鎳片，鎳泥，鎳催化劑，含鎳物料，銑刀， 數控刀片， 輕質數控刀，廢合金針，針尖，高價 回收 ( 鉭 ) 鉭絲 鉭粉 鉭電容 鉭鈮 鉭鎢 ，銦.銦絲.氧化銦.金.金屬鍺.鍺錠99.999等.
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半導體與微電子工業
化合物半導體材料
磷化銦（InP）單晶襯底：
精銦是制備 InP 晶圓的核心原料，用于生產 5G 基站的射頻芯片（如 HEMTs 高電子遷移率晶體管）、光纖通信的激光器（如 1.55μm 波段 DFB 激光器）和量子點發光器件（QLED）。
應用場景：5G 通信、數據中心光模塊、自動駕駛激光雷達（LiDAR）。
砷化銦（InAs）/ 銻化銦（InSb）：
用于紅外探測器（如軍用夜視儀、衛星熱成像）和拓撲量子計算元件。
