擴(kuò)散爐主要滿足半導(dǎo)體電力電子器件、大功率集成電路等行業(yè)，對(duì)所加工硅片進(jìn)行擴(kuò)散、氧化、退火、合金等工藝。主要由擴(kuò)散爐加熱爐體、氣源系統(tǒng)、控制系統(tǒng)、超凈化操作系統(tǒng)等組成。選用工控機(jī)微控方式或者程控方式操作。
擴(kuò)散爐技術(shù)指標(biāo)：
可處理硅片尺寸：2—12英寸
外型形式：臥式1—4管結(jié)構(gòu)
工作溫度：200℃—1300℃
恒溫區(qū)長(zhǎng)度及精度：200mm—1100mm≤±0.5℃
單點(diǎn)溫度穩(wěn)定性、重復(fù)性： ≤±1℃/24h
溫度斜變： 可控升溫速率15℃／min
可控降溫速率： 5℃／min
送片裝置：全自動(dòng)懸臂推拉舟、拉桿式推拉舟
氣路系統(tǒng)：1—5路工藝氣體／管
氣體控制：全自動(dòng)MFC
控制方式：工控機(jī)、觸摸屏