半導體激光器封裝件高低溫循環試驗箱測試門與機體采耐高低溫之高張性密封條,以確保測試區之密閉。大觀測視察附照明保持箱內明亮，且利用發熱體內嵌式玻璃，隨時保持清晰的觀測窗內的狀況。箱機體左側與上方具兩個直徑50mm的測試孔，可供外接測試電源線或信號線使用。機器底部采用高質量可固定式活動輪，以便固定及移動之用。可滿足標準IEC61215、IEC61646、IEC61730、GB/T19394－2003、 GB/T9535－1998、GB/T6492－1986、GB/T6494、GB/T6497、SJ/T2196; IEC61345－1998; IEC61646、GB 10592—89、GB10586－89等標準。
半導體激光器封裝件高低溫循環試驗箱技術參數：
試驗區尺寸：80×80×80
機器外尺寸：140×165×115
溫度范圍：－40℃～85℃。
濕度范圍：20% ～ 98% RH。
升溫速率：－40℃～+85℃,平均 1～3℃/min。
降溫速率：+85℃～－40℃,平均 1～3℃/min。
半導體激光器封裝件高低溫循環試驗箱組件方法：
1、熱循環試驗：空氣的循環速度不低于2m·s-1,使組件的溫度在-40 ±2℃ 和85±2℃之間,高和低之間的溫度變化速率不超過100 ℃/h ，在每個溫度下,應保持穩定至少10min 。一次循環不超過6h。
2、濕-冷試驗：組件的溫度在-40 ±2℃ 和85±2℃之間,高和低之間的溫度變化速率不超過100 ℃/h或不超過100 ℃/h，使組件完成10次循環，高和低溫度應在所設定值的±2℃以內，室溫以上各溫度下，相對濕度應保持在所設定值的±5%以內。
3、濕-熱試驗：試驗溫度在85±2℃，相對濕度85%±5%,試驗時間為1000個小時。
半導體激光器封裝件高低溫循環試驗箱結構及材質：
內箱材質：SUS#304耐高低溫不銹鋼板。
外箱材質：高品質彩鋼板。
保溫層：采用高強度PU發泡，可避免不必要的能量損失。
測溫體：進口溫濕度一體傳感器。
儀表解析精度： 溫度：0.1℃。 濕度：0.1%RH。
儀表控制精度： 溫度：±0.3℃。 濕度：±1.5%RH。
波動度：溫度：≤±0.5℃。 濕度：≤±1.5%RH。
溫度均勻度：≤2℃。
溫度偏差：≤±2℃。
濕度偏差：+2%RH，-3%RH。
雙門，從中向兩邊開啟。
半導體激光器封裝件高低溫循環試驗箱性能特點：
1．科學的空氣流通設計、避免任何死角、使箱內溫度分布均勻，保證組件測試結果的準確性。
2．真彩觸摸式可程式控制器，配備電腦連線接口，使用者可以在電腦屏幕上設計程序，收集測試資料與記錄、呼叫程式執行、遙控機器開關機等功能，自動化程序高，操作簡單。
3．異常狀況發生時，控制器屏幕上即時自動顯示故障狀態，切斷電腦開關，并提供故障排除方法。
4．冷凍系統采用二元復疊制冷與常溫制冷結合設計，二元復疊制冷于不同溫域采用不同壓縮機做功，以增加設備的使用壽命。
半導體激光器封裝件高低溫循環試驗箱用途：
半導體激光器封裝件高低溫循環試驗箱又名高低溫循環試驗箱主要應用于測試光伏組件，特別是單晶硅組件、地面用晶體硅光伏組件、地面用薄膜光伏組件等一系列的產品進行熱循環、濕冷、濕熱試驗后，產品的參數及性能。
