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      便攜式半導體器件靜態參數測試儀DBC-350

      2023-10-10 15:28   4160次瀏覽
      價 格: 面議

      系統特征

      序號

      測試器件

      01

      二極管

      02

      晶體管NPN/PNP

      03

      J型場效應管

      04

      MOS場效應管

      05

      雙向可控硅

      06

      可控硅

      07

      lGBT

      08

      硅觸發可控硅

      09

      達林頓陣列

      10

      金屬氧化物壓變電阻

      12

      固態過壓保護器

      13

      穩壓、齊納二極管

      規格/環境

      柵極發射極

      VGES:0-40V

      分辨率0. 1V

      lGES:0.1-10Ua

      分辨率0.01uA

      Vce:0V

      集電極發射極

      Vces:100-3000v

      分辨率10V

      lces:100UA-5mA

      分辨率10uA

      Vge:0V

      Vge:0V

      柵極發射極閾值電壓

      Vge(th):1-10V

      分辨率0lV

      集電極

      發射極

      飽和電壓

      VCE(sat):02-5V

      分辨率0.01V

      lCE:10-100A

      分辨率1A

      二極管

      VF:0-5V

      分辨率0.01V

      lF:0-100A

      分辨率1A

      Vge:0V

      二極管反向**

      可恢復直流電壓

      Vces:100-3000V

      分辨率10V

      lces; 100UA-5mA

      分辨率10uA

      西安精華偉業電氣科技有限公司

      地址:西安市高新區造字臺路109號西安初元科技園內

      聯系:李華南

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