SiC 二極管并聯(lián)使用：
當(dāng)流過(guò)SiC 二極管電流增大時(shí)溫度升高，Vf會(huì)增加，相當(dāng)于負(fù)反饋，所以可以并聯(lián)使用。
使用同一批次，減小生產(chǎn)誤差帶來(lái)的不一致。
SiC 二極管串聯(lián)使用：
反向時(shí)因?yàn)槁╇娏鞑灰恢拢悠胶怆娮枰矝](méi)有太大的效果，端子間電容在突然加電時(shí)，承受電壓不一致，所以不推薦串聯(lián)使用。
SiC二極管反向恢復(fù)的Irrm、trr、Qrr 僅為 FRD 的 1/3、1/10 至 1/20、1/20 至 1/30
SiC二極管反向恢復(fù)特性幾乎不受溫度和電流的影響, 隨di/dt升高Irrm和Qrr有所增加，trr有所減小
有利于變換器的效率提升、高頻化以提高功率密度， 同時(shí)還可以降低EMI干擾
使用SiC代替?zhèn)鹘y(tǒng)Si二極管的優(yōu)勢(shì)在于效率提高，產(chǎn)品尺寸更小；
在氮化鎵快充適配器中應(yīng)用碳化硅二極管，利用碳化硅二極管的極短反向恢復(fù)時(shí)間優(yōu)勢(shì)，配合氮化鎵的高速開(kāi)關(guān)特性，可以提高PFC級(jí)的開(kāi)關(guān)頻率，使用更小體積的電感滿足輸出功率。從而提高適配器功率密度，滿足大功率適配器的小體積要求。