供IGBT使用的驅動電路形式多種多樣 ,各自的功能也不盡相同。從綜合的觀點看 ,還沒有一種十全十美的電路。從電路隔離方式看，IGBT驅動器可分成兩大類,一類采用光電耦合器,另一類采用脈沖變壓器,兩者均可實現信號的傳輸及電路的隔離。
采用光耦合器及CMOS 驅動IGBT，該電路自身帶過流保護功能，光耦合器將脈沖控制電路與驅動電路隔離，4011 的四個與非門并聯工作提高了驅動能力，互補晶體管V1、V2 降低驅動電路阻抗，通過R1、C1 與R2、C2 獲得不同的正、反向驅動電壓，以滿足各種IGBT 對柵極驅動電壓的要求。該電路由于受光耦合器傳輸速度的影響，其工作頻率不能太高，同時受4011 型CMOS電路工作電壓的限制，使+VGE 和-VGE 的幅值相互牽制，并受到限制。
IGBT導通后的管壓降與所加柵源電壓有關，在漏源電流一定的情況下，VGE越高，VDS值就越低，器件的導通損耗就越小，這有利于充分發揮管子的工作能力。但是， VGE并非越高越好，一般不允許超過20 V，原因是一旦發生過流或短路，柵壓越高，則電流幅值越高，IGBT損壞的可能性就越大。通常，綜合考慮取+15 V為宜。
IGBT驅動的兩個功能， 實現控制電路與被驅動IGBT柵極的電隔離;提供合適的柵極驅動脈沖。實現電隔離可采用脈沖變壓器、微分變壓器及光電耦合器。IGBT驅動電路的作用主要是將單片機脈沖輸出的功率進行放大，以達到驅動IGBT功率器件的目的。在保證IGBT器件可靠、穩定、工作的前提，驅動電路起到至關重要的作用。