供IGBT使用的驅動電路形式多種多樣 ,各自的功能也不盡相同。從綜合的觀點看 ,還沒有一種十全十美的電路。從電路隔離方式看，IGBT驅動器可分成兩大類,一類采用光電耦合器,另一類采用脈沖變壓器,兩者均可實現信號的傳輸及電路的隔離。
IGBT 的驅動條件與它的靜態和動態特性密切相關。柵極的正偏壓+VGE、負偏壓-VGE 和柵極電阻RG 的大小，對IGBT 的通態電壓、開關時間、開關損耗、承受短路能力以及dVCE/dt等參數都有不同程度的影響。
IGBT導通后的管壓降與所加柵源電壓有關，在漏源電流一定的情況下，VGE越高，VDS值就越低，器件的導通損耗就越小，這有利于充分發揮管子的工作能力。但是， VGE并非越高越好，一般不允許超過20 V，原因是一旦發生過流或短路，柵壓越高，則電流幅值越高，IGBT損壞的可能性就越大。通常，綜合考慮取+15 V為宜。
IGBT驅動的兩個功能， 實現控制電路與被驅動IGBT柵極的電隔離;提供合適的柵極驅動脈沖。實現電隔離可采用脈沖變壓器、微分變壓器及光電耦合器。IGBT驅動電路的作用主要是將單片機脈沖輸出的功率進行放大，以達到驅動IGBT功率器件的目的。在保證IGBT器件可靠、穩定、工作的前提，驅動電路起到至關重要的作用。