產(chǎn)品用途：
此款CVD生長(zhǎng)系統(tǒng)適用于CVD工藝，如碳化硅鍍膜、陶瓷基片導(dǎo)電率測(cè)試、ZnO納米結(jié)構(gòu)的可控生長(zhǎng)、陶瓷電容（MLCC）氣氛燒結(jié)等實(shí)驗(yàn)。
產(chǎn)品組成：
此款CVD系統(tǒng)配置：
1.1200度開啟式真空管式爐（可選配單溫區(qū)、雙溫區(qū)）。
2.多路質(zhì)量流量控制系統(tǒng)
3.真空系統(tǒng)（可選配中真空或高真空）
產(chǎn)品特點(diǎn)：
1 控制電路選用模糊PID程控技術(shù)，該技術(shù)控溫精度高，熱慣性小，溫度不過沖，性能可靠，操作簡(jiǎn)單。
2 氣路快速連接法蘭結(jié)構(gòu)采用本公司獨(dú)有的知識(shí)產(chǎn)權(quán)專利設(shè)計(jì),提高操作便捷性。
3 中真空系統(tǒng)具有真空度上下限自動(dòng)控制功能，高真空系統(tǒng)采用高壓強(qiáng)，耐沖擊分子泵
防止意外漏氣造成分子泵損壞，延長(zhǎng)系統(tǒng)使用壽命。
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