這兩個概念主要出半導體加工過程中，最初的半導體基片（襯底片）拋光沿用機械拋光、例如氧化鎂、氧化鋯拋光等，但是得到的晶片表面損傷是極其嚴重的。直到60年代末，一種新的拋光技術——化學機械拋光技術（CMP Chemical Mechanical Polishing ）取代了舊的方法。
這兩個概念主要出半導體加工過程中，最初的半導體基片（襯底片）拋光沿用機械拋光、例如氧化鎂、氧化鋯拋光等，但是得到的晶片表面損傷是極其嚴重的。直到60年代末，一種新的拋光技術——化學機械拋光技術（CMP Chemical Mechanical Polishing ）取代了舊的方法。
氧化鋁和碳化硅拋光液
是以超細氧化鋁和碳化硅微粉為磨料的拋光液，主要成分是微米或亞微米級的磨料。
主要用于高精密光學儀器、硬盤基板、磁頭、陶瓷、光纖連接器等方面的研磨和拋光。
半導體行業
CMP技術還廣泛的應用于集成電路(IC)和超大規模集成電路中(ULSI)對基體材料硅晶片的拋光。隨著半導體工業的急速發展，對拋光技術提出了新的要求，傳統的拋光技術（如：基于淀積技術的選擇淀積、濺射等）雖然也可以提供“光滑”的表面，但卻都是局部平面化技術，不能做到全局平面化，而化學機械拋光技術解決了這個問題，它是可以在整個硅圓晶片上平坦化的工藝技術。