這兩個概念主要出半導體加工過程中，最初的半導體基片（襯底片）拋光沿用機械拋光、例如氧化鎂、氧化鋯拋光等，但是得到的晶片表面損傷是極其嚴重的。直到60年代末，一種新的拋光技術——化學機械拋光技術（CMP Chemical Mechanical Polishing ）取代了舊的方法。
這兩個概念主要出半導體加工過程中，最初的半導體基片（襯底片）拋光沿用機械拋光、例如氧化鎂、氧化鋯拋光等，但是得到的晶片表面損傷是極其嚴重的。直到60年代末，一種新的拋光技術——化學機械拋光技術（CMP Chemical Mechanical Polishing ）取代了舊的方法。
CMP技術綜合了化學和機械拋光的優勢：單純的化學拋光，拋光速率較快，表面光潔度高，損傷低，平整性好，但表面平整度和平行度差，拋光后表面一致性差；單純的機械拋光表面一致性好，表面平整度高，但表面光潔度差，損傷層深。化學機械拋光可以獲得較為平整的表面，又可以得到較高的拋光速率，得到的平整度比其他方法高兩個數量級，是能夠實現全局平面化的有效方法。
研磨液的添加量是根據水質和產生切削屑來決定的，水質硬切削量多，則研磨液的添加量應多些。由于離心式研磨機在相同的時間內切屑量多，所以研磨液的添加量應多些。研磨液少量滴入滾筒內被水攪勻后，在光整時會粘附在零件與磨料的表面，對金屬表面氧化膜的化學作用，使其軟化，易于從表面研磨除去，以提高研磨效率。