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      氣相沉積SiC晶體粉源可用于PVT長(zhǎng)晶

      2026-05-01 10:00   3521次瀏覽
      價(jià) 格: 面議

      SiC的物理和電學(xué)屬性使其成為短波長(zhǎng)光電、高溫、耐輻射、高功率/高頻率電子器件的半導(dǎo)體材料。然而生長(zhǎng)優(yōu)質(zhì)的SiC單晶非常困難,其中SiC粉源的顆粒度、純度、類型等各方面都極大地影響著SiC晶體的生長(zhǎng)類型、缺陷結(jié)構(gòu)以及電學(xué)性質(zhì)等等。

      合能陽(yáng)光提供的SiC高品質(zhì)粉末,可充分滿足不同需求的客戶,為客戶SiC長(zhǎng)晶的成品率與晶片質(zhì)量提供了可靠的保障。

      北京合能陽(yáng)光新能源技術(shù)有限公司

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