潔凈室中的溫濕度控制
潔凈空間的溫濕度主要是根據(jù)工藝要求來(lái)確定，但在滿足工藝要求的條件下，應(yīng)考慮到人的舒適度感。隨著空氣潔凈度要求的提高，出現(xiàn)了工藝對(duì)溫濕度的要求也越來(lái)越嚴(yán)的趨勢(shì)。具體工藝對(duì)溫度的要求以后還要列舉，但作為總的原則看，由于加工精度越來(lái)越精細(xì)，所以對(duì)溫度波動(dòng)范圍的要求越來(lái)越小。例如在大規(guī)模集成電路生產(chǎn)的光刻曝光工藝中，作為掩膜板材料的玻璃與硅片的熱膨脹系數(shù)的差要求越來(lái)越小。直徑100 um的硅片，溫度上升1度，就引起了0.24um線性膨脹，所以必須有±0.1度的恒溫，同時(shí)要求濕度值一般較低，因?yàn)槿顺龊挂院螅瑢?duì)產(chǎn)品將有污染，特別是怕鈉的半導(dǎo)體車間，這種車間溫度不宜超過(guò)25度，濕度過(guò)高產(chǎn)生的問(wèn)題更多。相對(duì)濕度超過(guò)55%時(shí)，冷卻水管壁上會(huì)結(jié)露，如果發(fā)生在精密裝置或電路中，就會(huì)引起各種事故。相對(duì)濕度在50%時(shí)易生銹。此外，濕度太高時(shí)將通過(guò)空氣中的水分子把硅片表面粘著的灰塵化學(xué)吸附在表面難以清除。相對(duì)濕度越高,粘附的越難去掉，但當(dāng)相對(duì)濕度低于30%時(shí)，又由于靜電力的作用使粒子也容易吸附于表面，同時(shí)大量半導(dǎo)體器件容易發(fā)生擊穿。對(duì)于硅片生產(chǎn)濕度范圍為35—45%。
氣壓規(guī)定
對(duì)于大部分潔凈空間，為了防止外界污染侵入，需要保持內(nèi)部的壓力（靜壓）高于外部的壓力（靜壓）。壓力差的維持一般應(yīng)符合以下原則：
1．潔凈空間的壓力要高于非潔凈空間的壓力。
2.潔凈度級(jí)別高的空間的壓力要高于相鄰的潔凈度級(jí)別低的空間的壓力。
壓力差的維持依靠新風(fēng)量，這個(gè)新風(fēng)量要能補(bǔ)償在這一壓力差下從縫隙漏泄掉的風(fēng)量。所以壓力差的物理意義就是漏泄（或滲透）風(fēng)量通過(guò)潔凈室的各種縫隙時(shí)的阻力。
●動(dòng)線規(guī)劃要點(diǎn)：要檢討分析人車路徑、配管系統(tǒng)、排氣管道、原料搬運(yùn)和作業(yè)的流程等，盡量縮短動(dòng)線，并避免交叉，以防止交叉污染。作業(yè)者、化學(xué)藥品、材料等動(dòng)線勿集中；無(wú)塵車間四周，宜設(shè)緩沖區(qū)；制造裝置的出入，不要對(duì)作業(yè)產(chǎn)生大影響。
●有些空氣凈化系統(tǒng)的空氣，如經(jīng)處理仍不能避免交叉污染時(shí)，則不能循環(huán)使用：固體物料的粉碎、稱重、配料、混合、制料、壓片、包衣、灌裝等工序；用有機(jī)溶媒精制的原料藥精制、干燥工序；放射性藥品生產(chǎn)區(qū)；病原體操作區(qū)；工藝過(guò)程中產(chǎn)生大量有害物質(zhì)、揮發(fā)性氣體的生產(chǎn)工序。
節(jié)能原則：無(wú)塵車間里存在大量可以節(jié)約能源的地方，例如暖氣、通風(fēng)和空調(diào)（HVAC）、工藝?yán)鋮s、壓縮空氣以及一些其他的設(shè)施。 HVAC系統(tǒng)消耗的電力超過(guò)了整座晶片制造廠用電量的一半。之所以造成大量浪費(fèi)電力及HVAC的容量過(guò)剩，很大程度上是因?yàn)樵谠O(shè)計(jì)和建造工廠時(shí)走捷徑，盡可能地壓縮前期投入，而不顧后期運(yùn)行費(fèi)用。率的設(shè)計(jì)和率設(shè)備需要很大的前期投入。那種“小處節(jié)約大處浪費(fèi)”的所謂捷徑和削減成本，會(huì)造成工廠的運(yùn)行性能降低和能耗增加。 對(duì)已建成工廠的改建通常會(huì)陷入到毫無(wú)意義的經(jīng)濟(jì)漩渦當(dāng)中。