HS-TRM-100型無(wú)接觸式電阻率型號(hào)測(cè)試儀

產(chǎn)品介紹

HS-TRM-100型無(wú)接觸式電阻率型號(hào)測(cè)試儀是基于渦流（Eddy Current）測(cè)試技術(shù)，能夠?qū)枇稀⒐璋簟⒐桢V及硅片進(jìn)行無(wú)接觸、無(wú)損傷的體電阻率測(cè)試。

無(wú)接觸式電阻率型號(hào)測(cè)試儀-產(chǎn)品特點(diǎn)

測(cè)試范圍廣，低阻可測(cè)至0.001ohmNaN，甚至0.0007ohmNaN,高阻可測(cè)至100ohmNaN

產(chǎn)品體積小，便于移動(dòng)和攜帶

采用渦流法測(cè)試硅錠、棒、回爐料體電阻率

無(wú)接觸、無(wú)損傷快速測(cè)試

測(cè)試前無(wú)需表面處理

特別對(duì)于多晶，能夠有效避免晶界對(duì)測(cè)試的影響

測(cè)試范圍：0.001-100 ohmNaN (分段測(cè)試）

可選加無(wú)接觸PN型號(hào)測(cè)試功能

可進(jìn)行溫度和厚度的修正

無(wú)接觸式電阻率型號(hào)測(cè)試儀-技術(shù)指標(biāo)

硅棒硅塊可測(cè)量電阻率范圍：0.001-100OhmNaN

最小測(cè)試厚度：200μm

測(cè)量時(shí)間：2秒/次

最小測(cè)試面積：30x30 mm2

推薦使用溫度：20

濕度：80%

氣壓：86-106kPa

使用電壓：230±10V

頻率，50±3Hz

功率消耗：5W

尺寸（LxWxH）：280x200x60mm

典型客戶

美國(guó)，歐洲，亞洲及國(guó)內(nèi)太陽(yáng)能及半導(dǎo)體客戶。